0. 방법 설명 전에 공시 및 배경을 잠깐 설명하자면 (Skip 하셔도 됩니다)22년 말부터 반도체 재고 바닥 시그널이 보이고, 23년 초부터 하이닉스 및 HBM 관련 후공정 장비 위주로 반도체 모멘텀이 시작되었었습니다.이후에 HBM 관련주와 함께, 차세대 반도체 기술에 필수적인 역할을 할 수 있는 선단 공정 장비를 중심으로 반도체 모멘텀이 있었고, 거기에 주성엔지니어링이 포함이 되었었죠. 결국 HBM은 고성능 DRAM을 적층하여 만드는 것이고, 고성능 차세대 DRAM의 스위치(게이트)를 만들기 위해서는 High-K라는 물질이 필요하게 되었습니다.소자가 작아지니 이제는 원자 단위로 증착을 해야하고 (ALD), ALD 방식으로 High-K 소재를 잘 올릴 수 있어야 합니다. *주성엔지니어링은 ALD 중에서..
